Микроаналитические реакции Часть 2
ки гндроксидом цезия чувствительность детектора к фтору уве-личивается. Чувствительность такого детектора к фосфору очень высокая: примерно в три раза больше, чем к галогенам. Мешающее влияние фосфора устраняют по методу Кармена [29].
Детекторы электронного захвата более чувствительны к га¬логенам, чем пламенно-ионизационные [30]. При облучении радиоактивным источником га за-носителя (обычно это азот или используемый в последнее время для аппаратуры, работающей
на переменном токе, аргон, содержа-
щий 5—10%; метана) наряду со сво¬бодными электронами образуются различные положительно заряжен¬ные ионы, которые перемещаются к электродам. Скорость движения элек¬тронов значительно выше, чем ско¬рость движения положительных ионов, и, поскольку рекомбинация ионов незначительна, в детекторе воз¬никает стабильный ионный ток. Од¬нако при появлении в детекторе моле¬кул с большим сродством к электрону образуются также отрицательно заря¬женные ионы, что приводит к умень¬шению ионного тока. Такое уменьше¬ние тока аналогично поглощению све¬та и также подчиняется закону Лам¬берта — Бера.